4.7　烧　　结

4.7.1　烧结工艺应在箱式烧结炉或连续烧结炉中、在规定的条件下，使厚膜材料经历“升温—保温—降温”的过程，使导体、电阻和介质层烧成。

4.7.2　烧结根据厚膜材料烧结温度的不同可分为低温厚膜浆料烧结和高温厚膜浆料烧结，低温烧结宜在最高温度为400℃～900℃的空气或氮气环境中进行，高温烧结宜在最高温度为1500℃～1700℃的氢气或氮气和氢气混合气体的环境中进行。

4.7.3　烧结工艺应符合下列规定：

1　设备的水、电、气等条件应满足烧结工艺要求；

2　箱式烧结炉运行前应检查程序是否满足烧结工艺需求；

3　连续式烧结炉烧结前设备的运行速度、气体流量、各温区的温度应符合烧结工艺需求；

4　需烧结的厚膜陶瓷基板应放置在承烧板上，如有需要可以放多层承烧板，中间应用垫块隔开，承烧板表面应平整；

5　箱式烧结炉烧结时，承烧板应放入烧结炉炉膛中的恒温区内，并应将测温热电偶放置到合适位置；

6　连续式烧结炉烧结时，产品应按照工艺要求放在承烧板上，承烧板进入烧结炉中完成升温、保温、降温等过程；

7　烧结过程应在烧结温度保持一定时间，以促进烧结；

8　箱式烧结炉冷却过程宜随炉冷却，烧结炉内温度低于200℃时可打开炉腔进行空冷；

9　已烧好的陶瓷基板取出时应充分冷却并防止烫伤；

10　烧结过程可采用测温热电偶或测温环等装置校准烧结温度。

4.7.4　烧结工艺应在净化房间中进行。

4.7.5　使用氢气的高温烧结工艺应在独立工作间中进行。

4.7.6　使用氢气的高温烧结间必须按照防爆要求设计。