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4.2 陶瓷基板预处理
4.2.1 陶瓷基板预处理应通过对基板进行清洗、空烧等处理,使其满足后续工艺要求。
4.2.2 陶瓷基板预处理工艺应符合下列规定:
1 应对陶瓷基板进行去油等清洗;
2 陶瓷基板应烘干;
3 在烧结炉中空烧时,空烧温度可根据陶瓷材质选择温度。
4.2.3 陶瓷基板处理工艺宜在温度10℃~30℃、相对湿度40%~70%的工作间中进行。
4.2.1 陶瓷基板预处理应通过对基板进行清洗、空烧等处理,使其满足后续工艺要求。
4.2.2 陶瓷基板预处理工艺应符合下列规定:
1 应对陶瓷基板进行去油等清洗;
2 陶瓷基板应烘干;
3 在烧结炉中空烧时,空烧温度可根据陶瓷材质选择温度。
4.2.3 陶瓷基板处理工艺宜在温度10℃~30℃、相对湿度40%~70%的工作间中进行。