3.13　吸收电子像（AEI）

当高能的入射电子进入试样后，除了会激发出二次电子和背散射电子，其他的经多次非弹性散射的背散射电子能量损失殆尽，若试样的厚度远超出入射电子的贯穿深度，最后这些电子都会被试样吸收。若在试样和地之间接入一个高灵敏度的纳安表，就可以测得试样对地的电流信号，这个信号电流就来自吸收电子，即图3.12.1中的Ia。

入射电子束和试样相互作用后，若逸出表面的背散射电子和二次电子的数量越少，则被吸收的电子就越多，吸收电子的信号就越强，若把吸收电子收集之后经放大调制成像，则它的衬度一般都能与背散射电子图像的衬度相反。当电子束入射到一个由多种元素组成的试样表面时，试样表面不同部位的原子序数所产生的二次电子的数量差别不是很明显，但背散射电子则不同，它们随试样原子序数的不同而不同，即原子序数高的部位，产生的背散射电子的数量就多，其对应的吸收电子的数量就少；反之原子序数低的部位，产生的背散射电子较少，其对应部位的吸收电子的数量就会较多。因此，吸收电子像也能像背散射电子像那样，能产生与原子序数相关的衬度，同样也可以用来进行区分试样表面不同化学组分的初步判定。但由于吸收电子的信息来源较深，所以吸收电子像的分辨力较差，其分辨力的大小依材料的密度和加速电压的不同而异，通常是几十至几百纳米。在实际的工作中，吸收电子像常用来分析试样中亚表面潜在的微裂缝与空洞等缺陷。