X射线荧光光谱分析(第二版)
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第一节 特征X射线的产生与特性

当用高能电子束照射物质时,入射高能电子被物质组成元素中的电子减速,这种带电粒子的负的加速度会产生宽带的连续X射线谱,简称为连续谱或韧致辐射。

另外,化学元素受到高能光子或粒子的照射,如内层电子被激发,则当外层电子跃迁时,就会放射出特征X射线。特征X射线是一种分离的不连续谱。如果激发光源为X射线,则受激产生的X射线称为二次X射线或X射线荧光。

一、特征X射线

图2-1显示了特征X射线产生的过程。当入射X射线撞击原子中的电子时,如光子能量大于原子中的电子束缚能,电子就会被击出。这一相互作用过程被称为光电效应,被击出的电子称为光电子。通过研究光电子或光电效应可以获得关于原子结构和成键状态的信息。在这一过程中,如入射光束的能量大得足以击出原子中的内层电子,就会在原子的内壳层产生空穴,这时的原子处于非稳态,外层电子会从高能轨道跃迁到低能轨道来充填轨道空穴,多余的能量就会以X射线的形式释放,原子恢复到稳态。如果空穴在K、L、M壳层产生,就会相应产生K、L、M系X射线。

图2-1 特征X射线产生的过程

光电子出射时有可能再次激发出原子中的其他电子,产生新的光电子。再次生成的光电子被称为俄歇电子,这一过程被称为俄歇效应,如图2-2所示。

图2-2 俄歇电子与俄歇效应

一元素受激发后辐射出的X射线光子的能量等于受激原子中过渡电子在初始能态和最终能态的能量差别,即发射的X射线光子能量与该特定元素的电子能态差成正比,即遵守能量方程:

E=  (2-1)

式中,E为光子能量;ν为射线频率;h为普朗克常数。光子能量与波长的关系为:

受激元素辐射出的能量与该特定元素的轨道能级差直接相关,与原子序数的二次幂成正比:

此即Moseley定律。式中,kσ均为特性常数,随K、L、M、N等谱系而定。

X射线荧光是来源于样品组成的特征辐射,通过测定和分析X射线的能量或波长,即可获知其为何种元素,故可用来识别物质组成,定量分析物质中的元素含量。

二、特征谱线系

对于一给定元素,原子的初始和最终状态是由电子的量子数的不同结合方式所决定的,产生的特征谱线必须遵守一定的跃迁选择定则。

1.电子组态

电子在原子轨道中的运动遵守量子理论,分别由主量子数n(1,2,3,…)、角量子数l(0,1,…,n-1)、磁量子数m(1,0,-1)和自旋量子数ms(±1/2)决定。四种量子数的结合原则必须符合鲍利原理,即任一给定电子组态不能存在一个以上的电子,也即每四个量子数的结合对于一个电子而言是唯一的。

此外,角动量J是角量子数与自旋量子数之和:

J=l±ms  (2-4)

总量子数J不能为负值。三个主壳层的电子结构及量子数取值范围见表2-1。这些基本电子组态是判断电子跃迁和X射线特征谱的基础。

表2-1 三个主壳层的电子结构及量子数取值范围

2.选择定则

当原子受到高能粒子激发后,并不是所有轨道电子之间都能产生电子跃迁,发射X射线光子。电子跃迁时必须符合选择定则,如表2-2所示。

表2-2 选择定则

结合表2-1和表2-2,可以获知跃迁能级。对K壳层,只有1s电子,J只能取1/2,故只有一个K系跃迁能级;对L层电子,J可有三个取值,因此可有三个跃迁能级,分别用L、L、L表示。对M壳层,可有五个跃迁能级,依次类推。这些基本电子组态和选择定则决定了我们可以观察到的特征X射线谱线。例如对K系和L系谱线,允许以下跃迁:

K:p→s;

L:p→s,s→p,d→p。

3.特征谱线系

特征X射线由三类组成,第一类是我们通常看到的常规X射线,第二类是所谓受禁跃迁谱线,第三类是卫星线。

常规X射线的产生符合选择定则,例如对K系谱线,分别由来自于L/L、M/M、N/N壳层的电子形成三对谱线系。图2-3显示了跃迁能级与X射线谱线系的关系。国际纯粹与应用化学联合会(IUPAC)采用跃迁能级命名,故从中既可了解跃迁能级,也不易将不同谱线来源与名称混淆。表2-3列出了特征X射线谱线产生能级、常用名(俗称)以及与国际标准名称的比较。

图2-3 跃迁能级与X射线谱线系的关系

表2-3 特征X射线谱线产生能级、常用名(俗称)以及与国际标准名称的比较

第二类为受禁跃迁谱线,主要来源于外层轨道电子间没有明晰的能级差的情况。例如过渡金属元素的3d电子轨道,当电子轨道中只有部分电子充填时,其能级与3p电子类似,故可观察到弱的受禁跃迁谱线(β5)。当存在双电离情况时,则可能会观察到第三类谱线——卫星线。

三、谱线相对强度

入射光与物质相互作用后,产生的特征谱线强度取决于以下三个因素:

①入射光子使特定壳层电子电离的概率;

②产生的孔穴被某一特定外层电子充填的概率;

③该特征X射线出射时在原子内部未被吸收的概率。

第一项与第三项影响因素分别与吸收和俄歇效应相关,而第二项则与跃迁概率相关。

谱线相对强度是指在一特定谱线系中各谱线的强度比。例如Kα1/Kα2或Kβ/Kα等K系谱线的相对强度。K系谱线相对强度在不同元素间变化范围较小,测得的准确度也较高,而L和M谱线系的相对强度变化较大。

值得注意的是,谱线相对强度与谱线相对强度份数是不同的。谱线相对强度份数是指一特定谱线占该能级中总的强度比例。对K系线的谱线相对强度份数()有:

谱线相对强度份数将在基本参数法计算中得到应用。

四、荧光产额

并非所有产生的空穴都会产生特征X射线,例如会产生俄歇电子。因此从一能级产生的光子数取决于相对效率,其大小可用荧光产额来衡量。

荧光产额ω定义为在某一能级谱系下从受激原子有效发射出的次级光子数(nK)与在该能级上受原级X射线激发产生的光子总数(NK)之比,代表了某一谱线系光子脱离原子而不被原子自身吸收的概率。对K系谱线,有:

几个元素的荧光产额ω列于表2-4中。原子序数越大,荧光产额越高。对轻元素,荧光产额很低,这也是利用XRF分析轻元素比较困难的主要原因之一。

表2-4 不同元素的K系荧光产额

荧光产额ω可由实验测定,也可采用经验公式计算:

F=(a+bZ+cZ34  (2-8)

式中,Z为原子序数;abc为常数。公式表明荧光产额随原子序数的增加而显著上升。该经验公式可应用于基本参数法计算中。

K系谱线的荧光产额ωK准确度要明显高于L谱线系的ωL,而ωM最小。ωK的准确度为3%~5%,ωL为10%~15%。