图解芯片技术

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内容提要

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前言

第1章 集成电路简介

1.1 概 述

1.2 半导体硅材料——集成电路的核心与基础

1.3 集成电路元件的分类

1.4 半导体器件的制作工艺流程

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第2章 从硅石到晶圆

2.1 半导体硅材料

2.2 从硅石到金属硅，再到99.999999999%的高纯硅

2.3 从多晶硅到单晶硅棒

2.4 从单晶硅到晶圆

2.5 抛光片、退火片、外延片、SOI片

书角茶桌 “硅是上帝赐予人类的宝物”

第3章 集成电路制作工艺流程

3.1 集成电路逻辑LSI元件的结构

3.2 LSI的制作工艺流程

3.3 IC芯片制造工艺的分类和组合

书角茶桌 世界集成电路产业发展的领军人物

第4章 薄膜沉积和图形加工

4.1 DRAM元件和LSI元件中使用的各种薄膜

4.2 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（1）——PVD法

4.3 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（2）——CVD法

4.4 IC制作用的薄膜及薄膜沉积（3）——各种方法的比较

4.5 布线缺陷的改进和消除——Cu布线代替Al布线

4.6 曝光光源不断向短波长进展

4.7 光学曝光技术

4.8 电子束曝光和离子束曝光技术

4.9 干法刻蚀替代湿法刻蚀

书角茶桌 世界芯片产业的十大领头企业

第5章 杂质掺杂——热扩散和离子注入

5.1 集成电路制造中的热处理工艺

5.2 用于杂质掺杂的热扩散工艺

5.3 精准的杂质掺杂技术（1）——离子注入的原理

5.4 精准的杂质掺杂技术（2）——离子注入的应用

书角茶桌 “核心技术是国之重器”

第6章 摩尔定律能否继续有效

6.1 多层化布线已进入第4代

6.2 铜布线的单大马士革和双大马士革工艺

6.3 摩尔定律能否继续有效？

6.4 新材料的导入——“制造材料者制造技术”

6.5 如何实现器件的高性能？

6.6 从100nm到7nm——以材料和工艺的创新为支撑

书角茶桌 集聚最强的力量打好核心技术研发攻坚战

参考文献

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