1.3.4 晶体管的主要参数

（1）电流放大系数和β

晶体管的电流放大系数分为直流放大系数和交流放大系数β，一般情况下，可以直接使用β作为晶体管的电流放大系数，放大状态下，I_C=βI_B。常用小功率晶体管的β值为20～150，随温度升高，β值会有所增大。

（2）集电极最大允许电流I_CM

当集电极电流I_C超过一定值时，晶体管的β值就会下降。β值下降到正常值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流I_CM。在实际使用时，晶体管需满足I_C<I_CM。

（3）集射极反向击穿电压U_（BR）CEO

基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集射极反向击穿电压U_（BR）CEO。在实际使用时，晶体管需满足U_CE<U_（BR）CEO。

（4）集电极最大允许耗散功率P_CM

正常工作状态下，晶体管允许消耗的最大功率称为集电极最大允许耗散功率。在实际使用时，晶体管需满足P_C<P_CM，其中P_C=U_CEI_C。P_CM主要受结温限制，一般来说，锗晶体管允许结温为70～90℃，硅晶体管约为150℃。

由I_CM、U_（BR）CEO、P_CM三个极限参数共同界定了晶体管的安全工作区如图1-26所示的阴影部分。需要强调的是，P_CM≠I_CMU_（BR）CEO。

图1-26 晶体管的安全工作区

（5）集基极反向饱和电流I_CBO

I_CBO是指当发射极开路时，集电结处于反向偏置，由集电区流向基区的反向饱和电流。I_CBO受温度的影响较大，I_CBO越小晶体管的热稳定性越好，硅晶体管在温度稳定性方面胜于锗晶体管。

（6）集射极反向饱和电流I_CEO

I_CEO是指当基极开路时，由集电极流向发射极的穿透电流。I_CEO受温度的影响很大，与I_CBO满足关系式。一般硅管的I_CEO比锗管的I_CEO小2～3个数量级。