2.4.2 结电容

由于耗尽区一侧为负电荷而另一侧为正电荷，将存在一个与PN结相关的电容。为了求出结电容，首先假设反向电压小的增量dV_R ，它将引起N区正电荷的增量 dQ=eN_d dx_n和 P 区负电荷的增量-dQ=-eN_adx_p，如图2.12所示。

其中，对于特定的 PN 结，K _j为常数。结电容C _j表示为宽度W的函数：

图2.12 反向电压的增量引起空间电荷区宽度增量

因此，结电容随反向电压V_R的耗尽层宽度W增加而降低。结电容C_j也称为耗尽层电容。