第三代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料。第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度快、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子器件、射频微波器件、激光器件和探测器件等方面展现出巨大的潜力，从而成为世界各国半导体研究领域的热点。
