1.2 我国第三代半导体产业发展状况

在第三代半导体产业领域，我国企业受到的阻碍小于传统硅基领域。在传统的硅基半导体领域，技术发展进步已经明显放缓，一些发达国家，依靠着数十年的基础技术研发和布局，积累了足够多的专利，并且掌控着上游关键材料和设备的技术和供应链。而在第三代半导体产业领域，我国企业与国外龙头企业的差距已经明显缩小，可以说我国半导体产业正在迎来追赶和发展的机遇。

SiC是第三代半导体材料核心，是极限功率器件的理想材料，其电学特性优越，可满足新兴应用需求。其主要用于功率器件，适用600V以上高压场景，包括光伏发电、轨道交通、充电桩、新能源汽车、智能电网等电力电子领域。GaN是5G应用的核心关键材料，其拥有类似SiC性能优势，是射频器件的合适材料，尤其适合高频应用。

2021年，我国第三代半导体产业进入快速成长期。2021年，山东天岳作为第一家以第三代半导体为主营业务的企业成功IPO，作为国内第三代半导体SiC衬底龙头，以较高市盈率的估值上市，市值一度超过350亿元，对国内其他第三代半导体企业产生了积极影响。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟产业研究院（CASA Research）不完全统计，2021年SiC衬底环节新增投产项目7笔，披露新增投产年产能超过57万片。国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家SiC项目宣布主体工程封顶。在GaN领域，英诺赛科（苏州）在2021年6月宣布8英寸硅基GaN芯片量产；晶湛半导体8英寸年产24万片GaN外延项目开建；中博芯6英寸硅基GaN外延和UV-LED芯片项目投产。

在政策驱动及应用需求升级带动下，国内第三代半导体产业继续取得积极进展，见表1-4。

表1-4 2021年国内主要第三代半导体项目动态

（续）