1.6.2　离子刻蚀法

除了高能飞秒激光器，离子轰击手段也能够刻蚀石墨烯，使用这种方法制备石墨烯图案的效率更高，借助掩模版，首先镂空需要的图案，然后离子通过图案，将图案部分轰击刻蚀，而被遮挡的部分则保留下来。这种图案加工技术十分适用于用CVD法得到的石墨烯，因为掩模版可以与铜箔/镍箔平面贴合，露出镂空部分，从而保护了非镂空部分。主要流程如图1.12所示［207］。

（1）使用计算机建模软件绘制期望的石墨烯图案；

（2）通过激光切割技术加工高精度的掩模版，镂空期望的图案；

（3）将镂空的掩模版与用CVD法制备的石墨烯/铜箔对准；

（4）使用氧离子轰击掩模版一面，则镂空的部分离子可以直接作用于石墨烯表面，去除石墨烯，而其余部分则被掩模版保护；

（5）可以使用前文所述的卷对卷技术将铜箔上的石墨烯（已经有图案）转移到柔性衬底上。

这里需要指出的是，石墨烯的图案与建模软件设计的图案呈互补关系。

图1.12　离子刻蚀石墨烯图案的主要流程示意图，主要包含建模软件图案设计、加工掩模版、离子轰击、转移石墨烯几个步骤［207］