电路采用1.2μm设计规则，使用N-Well CMOS（B）制造技术。表2-6示出该电路典型元器件、制造技术及主要参数。它以N-Well CMOS（A）制程及所制得的各种元器件为基础，并对其芯片结构和制造工艺进行改变，最终在硅衬底上形成CMOS芯片中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路。如果制程完成后得到的各种参数都符合所设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。
表2-6 工艺技术和芯片中主要元器件
*表中各参数符号与前面各表相同。
