导言

传主简介

洪朝生，物理学家，中国低温技术、低温物理研究的开创者。1920年10月10日生于北京，祖籍福建闽侯。1940年清华大学电机工程系毕业，1941年任西南联合大学电机工程系助教。1945年赴美国留学，1948年获麻省理工学院博士学位。先后在美国普渡大学和荷兰莱顿大学工作。1952年回国，任中国科学院应用物理所副研究员，兼清华大学、北京大学物理系教授。1954年任中国科学院应用物理所研究员，1978年任中国科学院物理所副所长，1982年任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。

1950年，在半导体锗单晶低温输运现象的实验中发现杂质能级上的导电现象，提出半导体禁带中杂质导电的概念，这一工作被半导体物理界称为“洪朝生效应”或“洪朝生现象”，成为无序系统电子输运现象实验研究的开端，引发了国际上对无序系统电子输运机制的探索。回国后根据国家需求，将主要研究方向由基础研究调整到工程技术研究。1953年，在中国科学院应用物理所组建了国内第一个低温实验室，主持研制低温研究设备，首次在国内实现氢的液化和氦的液化并使该技术在国内得以推广，为我国科技事业的发展特别是“两弹一星”的成功研制做出了贡献。1958年组建了国内第一个超导研究组，率先提出在国内开展获得超导转换温度80K以上的超导体（金属与合金）研究，并组织开展了超导体薄膜及电子计算机元件研究，开启了中国的超导物理研究先河。60年代初，参与创办了我国第一个高等院校低温物理专业—中国科技大学低温物理专业，为我国低温物理、低温技术和超导研究培育了大批优秀科技人才。70年代，领导低温科研队伍研制了大型空间环境模拟系统，提供卫星上天的空间环境模拟试验条件，为中国航天事业的发展做出了贡献。80年代初，领导组建中国科学院低温技术实验中心，推广和提高液氦温区低温技术，促进低温实验工作与超导电技术应用。此外，自1953年起在半导体研究领域，与黄昆、王守武、汤定元等人开展半导体科学研究、教学和普及工作，为此后中国半导体事业的飞速发展做出了铺垫性和先行性工作。

1978年获全国科技大会表彰的全国先进科技工作者，1989年获中国物理学会胡刚复物理奖，2000年获国际低温工程理事会门德尔松奖，2011年获美国低温工程和低温材料大会塞缪尔·科林斯奖。