8.3　主要控制方案

8.3.1　固态CPL熔融采用“外循环+换热器”的工艺时，应采用聚合装置的分散型控制系统（DCS）进行集中监视、操作和控制，控制方案应遵循下列原则：

1　固态CPL粉碎、进料阀宜设置事故联锁、报警；

2　CPL换热器应设置温度控制系统；

3　熔融罐应设置液位控制系统；

4　己内酰胺供料槽接收多股物料时，宜设置进料比例控制系统。

8.3.2　参加反应的主副物料及各种添加剂应分别设置质量流量控制系统，并应以主物料的质量流量为基准分别组成闭环比值控制系统精确控制其相互间的质量比。

8.3.3　采用直接纺丝的锦纶66装置和锦纶56装置，从盐溶液供料槽到后聚合器各主流程设备的液位宜采用逆向控制；聚酰胺6聚合装置，从己内酰胺进料至后聚合反应器各主流程设备的液位宜采用逆向控制；萃取塔、干燥塔的料位宜采用顺向控制。

8.3.4　当温度控制精度要求高，且采用二次热媒加热时，反应器、聚合器和熔体管物料温度宜采用以物料温度为主环、热媒温度为副环的串级控制系统。

8.3.5　聚酰胺66连续聚合装置中，后聚合器的压力控制应通过控制真空喷射来实现。

8.3.6　熔体直接纺丝工艺的熔体压力应通过控制熔体增压泵的转速来调节，切片纺丝工艺的熔体压力应通过控制螺杆挤压机的转速来调节。

8.3.7　容积式输送泵的出口应设置压力高限联锁停泵控制系统。

8.3.8　配有立式搅拌器的设备应设置液位处于低限时停止搅拌的联锁保护系统。

8.3.9　纺丝冷却风的温湿度应采用定露点控制方式，且压力、流量参数应可调节。

8.3.10　切片干燥的氮气循环系统应设置在线氧含量分析仪检测氧含量。