2.6 晶体三极管
晶体三极管又称半导体三极管（简称三极管），是汽车电子电路中应用最广泛的器件之一。
2.6.1 晶体三极管的作用与外形
晶体三极管在不同的电路中所起的作用是不一样的，通常用于组成信号放大电路、振荡电路、开关电路等。表2-18示出了部分常用晶体三极管的外形。
表2-18 部分常用晶体三极管的外形
2.6.2 普通晶体三极管的类型与电路图形符号
晶体三极管是由两个相距很近的PN结组成的，根据其内部三个区域半导体类型的不同，晶体三极管可分为PNP型和NPN型两大类，属于电流控制型半导体器件。
（1）三极管的类型 晶体三极管根据其功能和用途分类，可分为低噪声放大三极管、低频放大三极管、中频和高频放大三极管、开关三极管、达林顿三极管、高反压三极管、带阻尼二极管的三极管、带电阻器的三极管、光敏三极管等。
（2）三极管的电路图形符号 PNP型和NPN型三极管的电路图形符号见表2-19。图形符号中的发射极通常采用小写字母e表示，集电极采用c表示，基极采用b表示。其中，发射极e的箭头表示发射结加正向电压时的电流方向，NPN型三极管发射极箭头指向管外，PNP型三极管发射极箭头指向管内。表2-19中也列出了其他类型三极管的电路图形符号。
表2-19 晶体三极管电路图形符号
2.6.3 场效应晶体管的类型与电路图形符号
场效应晶体管（FET，Field Effect Transistor），通常简称为场效应管。
（1）场效应管的类型 场效应管主要有结型场效应管与绝缘栅场效应管两大类；根据导电沟道使用的材料不同又分为N沟道与P沟道结型场效应管和N沟道与P沟道绝缘栅场效应管；根据工作方式的不同又分为N沟道与P沟道耗尽型结型场效应管和N沟道与P沟道增强型绝缘栅场效应管、N沟道与P沟道耗尽型绝缘栅场效应管等。
（2）场效应管的电路图形符号 场效应管是一种高输入阻抗的电压控制型半导体器件，在电路中的图形符号见表2-20，文字符号为 “V”或“VF”“VT”，旧标准用“FET”表示。
表2-20 场效应管的电路图形符号
2.6.4 指针式万用表检测晶体三极管
采用指针式万用表对三极管的穿透电流、电流放大系数、热稳定性的判别，可按以下方法进行检测判断。
（1）穿透电流Iceo的检测 将万用表测量范围转换开关置于电阻R×100或R×1k挡，如图2-6（a）所示，测量集电极c与发射极e的反向电阻，该电阻值越大，说明穿透电流Iceo越小，三极管性能越稳定。
（2）电流放大系数β的检测 在进行穿透电流Iceo的检测时，如图2-6（b）所示，如果在基极b与集电极c之间接入100kΩ电阻，集电极c与发射极e之间的反向电阻减小，万用表指针将向右偏转，偏转的角度越大，说明电流放大系数β越大。
（3）热稳定性的检测 在判别穿透电流Iceo的同时，如图2-6（c）所示，用手捏住晶体管，受人体体温的影响，集电极c与发射极e之间的反向电阻将有所减小，若电阻变化不大，则三极管稳定性较好。
图2-6 指针式万用表检测晶体三极管
2.6.5 数字式万用表检测晶体三极管
采用数字式万用表检测判断三极管好坏时，无论三极管功率的大小，都可以采用万用表的“二极管挡”。
（1）硅三极管的检测 对于硅三极管的检测，如图2-7（a）所示，先检测两个PN结的正向导通压降应在0.48～0.7V之间，检测两个PN结的反向电压，应显示“1”（溢出），然后检测发射极e与集电极c之间的正、反向电压，也显示“1”（溢出）。
如果检测的结果符合上述规律，则判断被检测的三极管是好的，否则说明其不良或损坏。
（2）锗三极管的检测 对于锗三极管的检测，如图2-7（b）所示，先检测两个PN结的正向导通压降应在0.1～0.3V之间，检测两个PN结的反向电压，应显示“1”（溢出），然后将红表笔与发射极e相连接，黑表笔与集电极c相连接，显示屏显示3～4位数字（mV），对换表笔测量，则显示“1”（溢出）。
如果检测的结果符合上述规律，则判断被检测的三极管是好的，否则说明其不良或损坏。
图2-7 数字式万用表检测晶体三极管
2.6.6 数字式万用表检测结型场效应管
（1）给电容充电 根据场效应管的工作原理，当栅极加上负压后，UDS会发生变化，所以先准备一个4.7～10μF/10V的电解电容，利用万用表“二极管挡”给电容充电（红正、黑负），等读数至“1”后，停2s待用。
（2）检测方法 将万用表的红表笔接D极，黑表笔接S极，显示UDS<1V。再将充电后的电解电容正极接S极，用电解电容负极触及栅极。这是利用电解电容的电压形成UGS，则万用表指示应会发生变化：UDS增加，甚至出现“1”。由于D、S两极可以互换，所以颠倒表笔，测量结果相同。若接上电解电容后读数无变化，即说明管子已经损坏。