第7章　场效应晶体管的功能特点与识别检测

7.1　场效应晶体管的种类特点

7.1.1 了解场效应晶体管的分类

场效应晶体管（Field-Effect Transistor）简称FET，是一种典型的电压控制型半导体器件。场效应晶体管是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，容易被静电击穿。

图7-1为电子产品电路板上的场效应晶体管。

图7-1 典型电子产品电路板上的场效应晶体管

场效应晶体管有三只引脚，分别为漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。根据结构的不同，场效应晶体管可分为两大类：结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）。

7.1.2 结型场效应晶体管

结型场效应晶体管（JFET）是在一块N型（或P型）半导体材料两边制作P型（或N型）区形成PN结所构成的，根据导电沟道的不同可分为N沟道和P沟道两种。结型场效应晶体管的外形特点及内部结构如图7-2所示。

图7-2 结型场效应晶体管的外形特点及内部结构

7.1.3 绝缘栅型场效应晶体管

绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）简称MOS场效应晶体管，由金属、氧化物、半导体材料制成，因其栅极与其他电极完全绝缘而得名。绝缘栅型场效应晶体管除有N沟道和P沟道之分外，还可分别根据工作方式的不同分为增强型与耗尽型。绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构如图7-3所示。

图7-3 绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构