功率半导体器件

封面

版权信息

前言

二维码清单

第1章 绪论

1.1 电力电子器件和电力电子学

1.2 功率半导体器件的定义

1.3 功率半导体器件的种类

1.4 功率整流管

1.4.1 单极型功率二极管

1.4.2 双极型功率二极管

1.5 功率半导体开关器件

1.5.1 晶闸管类功率半导体器件

1.5.2 双极型功率晶体管

1.5.3 功率MOSFET

1.5.4 IGBT

1.6 硅功率集成电路

1.7 碳化硅功率开关

1.8 功率半导体器件的发展

1.8.1 功率半导体器件的发展历程

1.8.2 功率半导体器件的发展趋势

参考文献

第2章 单极型功率二极管

2.1 功率肖特基二极管

2.1.1 功率肖特基二极管的结构

2.1.2 正向导通状态

2.1.3 反向阻断特性

2.2 结势垒控制肖特基（JBS）二极管

2.2.1 JBS二极管的结构

2.2.2 正向导通模型

2.2.3 反向漏电流模型

2.3 沟槽肖特基势垒控制肖特基（TSBS）二极管

2.4 沟槽MOS势垒控制肖特基（TMBS）二极管

参考文献

第3章 双极型功率二极管

3.1 PiN二极管的结构与静态特性

3.1.1 PiN二极管的结构

3.1.2 PiN二极管的反向耐压特性

3.1.3 PiN二极管通态特性

3.2 碳化硅PiN二极管

3.3 PiN二极管的动态特性

3.3.1 PiN二极管的开关特性

3.3.2 PiN二极管的动态反向特性

3.4 PiN二极管反向恢复过程中电流的瞬变

3.5 现代PiN二极管的设计

3.5.1 有轴向载流子寿命分布的二极管

3.5.2 SPEED结构

3.6 MPS二极管

3.6.1 MPS二极管的工作原理

3.6.2 碳化硅MPS整流器

3.6.3 反向阻断特性

3.6.4 开关特性

参考文献

第4章 晶闸管

4.1 概述

4.1.1 晶闸管基本结构和基本特性

4.1.2 基本工作原理

4.2 晶闸管的耐压能力

4.2.1 PNPN结构的反向转折电压

4.2.2 PNPN结构的正向转折电压

4.2.3 晶闸管的高温特性

4.3 晶闸管最佳阻断参数的确定

4.3.1 最佳正、反向阻断参数的确定

4.3.2 λ因子设计法

4.3.3 关于阻断参数优化设计法的讨论

4.3.4 P_2区相关参数的估算

4.3.5 表面耐压和表面造型

4.4 晶闸管的门极特性与门极参数的计算

4.4.1 晶闸管的触发方式

4.4.2 门极参数

4.4.3 门极触发电流、触发电压的计算

4.4.4 中心放大门极触发电流、电压的计算

4.5 晶闸管的通态特性

4.5.1 通态特征分析

4.5.2 计算晶闸管正向压降的模型

4.5.3 正向压降的计算

4.6 晶闸管的动态特性

4.6.1 晶闸管的导通过程与特性

4.6.2 通态电流临界上升率

4.6.3 断态电压临界上升率

4.6.4 关断特性

4.7 晶闸管的派生器件

4.7.1 快速晶闸管

4.7.2 双向晶闸管

4.7.3 逆导晶闸管

4.7.4 门极关断（GTO）晶闸管

4.7.5 门极换流晶闸管

参考文献

第5章 现代功率半导体器件

5.1 功率MOSFET

5.1.1 功率MOSFET的结构

5.1.2 功率MOSFET的基本特性

5.1.3 VD-MOSFET的导通电阻

5.1.4 VD-MOSFET元胞的优化

5.1.5 VD-MOSFET阻断电压影响因素分析

5.1.6 功率MOSFET的开关特性

5.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

5.2.1 IGBT的基本结构

5.2.2 IGBT的工作原理与输出特性

5.2.3 IGBT的阻断特性